日前，德州儀器 (TI) 公布推出一款可滿意 DDR、DDR2、 DDR3 與 DDR4 等各類低功耗存儲器終端電源打點要求的汲極／源極雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器 TPS51200。該輕便易用的新型穩(wěn)壓器的陶瓷輸出電容僅為 20 μF，比同類競爭辦理方案的電容低落了近 80%。這樣，設計人員可操作該器件實現(xiàn)更低本錢、更小型化的 DDR 存儲器終端辦理方案，以滿意數(shù)字電視、機頂盒、VGA 卡、電信、數(shù)據(jù)通信、條記本以及臺式機電腦等現(xiàn)代大容量存儲器電子產(chǎn)物以及日益富厚的消費類電子產(chǎn)物的需求。

　　高寬帶內(nèi)部跨導， 100UF 25V，Gm放大器與積分動態(tài)電壓定位均可支持超快瞬態(tài)響應，并且外部輸出電容極小。在負載變換幅度為 -1.5A ～+1.5A的典范應用中，輸出電壓偏移小于 25 mV。TPS51200能在2.375 V~ 3.5V的偏置電壓下事情，這使它在系統(tǒng)僅有2.5V或3.3V電軌的條件下極具競爭力。另外，在RAM暫停事情時，該器件還支持S3 睡眠狀態(tài)節(jié)制。

　　TPS51200 也可用作輸入電壓范疇為 1.1V～3.5 V 的通用高機能低降壓 (LDO) 穩(wěn)壓器。當啟用引腳毗連至系統(tǒng)總線電壓時，該器件支持跟蹤啟動與斷電成果，這使設計人員可以輕松實施多軌系統(tǒng)電壓排序，從而簡化設計流程。

　　TPS51200 的推出進一步加強了 TI 富厚的 DDR 存儲器電源辦理方案系列，個中包羅支持TPS51100 DDR 終端穩(wěn)壓器， 22UF 63V，集成汲極／源極 LDO 的 TPS51116 DDR 電源轉換開關以及支持 DDR 終端的 TPS40042 低電壓跟蹤開關穩(wěn)壓器。TPS51200 還進一步富厚了 TI 面向存儲器技能規(guī)模已經(jīng)很是遍及的 DDR、DDR2 與 DDR3 鎖相環(huán) (PLL) 以及 LDO 產(chǎn)物，個中包羅 SN74SSQE32882，作為支持寄存式雙列直插式存儲器模塊的 PLL 集成式 DDR3 寄存器，現(xiàn)已全面投入量產(chǎn)。
 
　　供貨環(huán)境
　　回收散熱機能加強型 SON-10 PowerPADTM集成電路封裝的 TPS51200 產(chǎn)物現(xiàn)已批量上市，可通過 TI 及其授權分銷商訂購。