e絡(luò)盟供貨安世半導(dǎo)體功率氮化鎵場效應(yīng)晶體管

全球電子元器件與開拓處事分銷商e絡(luò)盟公布供給安世半導(dǎo)體最新系列功率氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET）。該創(chuàng)新系列GaN FET外形尺寸小，可實(shí)現(xiàn)高功率密度及高效率功率轉(zhuǎn)換，可以或許以較低的本錢開拓出更高效系統(tǒng)，同時還可助力電動車、5G通信、物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用改造電源機(jī)能。跟著越來越多的立法提高碳排放減排要求，實(shí)現(xiàn)更高效的功率轉(zhuǎn)換和更高的電氣化程度勢在必行。GaN FET這一創(chuàng)新系列為設(shè)計工程師提供了真正辦理這些問題的有效方案。   GaN技能打破了硅基IGBT和SiC等現(xiàn)有技能的諸多范圍，可為各類功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用帶來直接和間接的機(jī)能效益。在電動車規(guī)模，GaN技能可直接低落功率損耗，從而為汽車實(shí)現(xiàn)更長的行駛里程

頒發(fā)于 2020-09-18

東芝面向超低功率MCU開拓隧穿場效應(yīng)晶體管

    東京—東芝公司（TOKYO：6502）本日公布面向超低功率微節(jié)制器（MCU）開拓回收新事情道理的隧穿場效應(yīng)晶體管（TFET）。該事情道理已經(jīng)被應(yīng)用到利用CMOS平臺兼容工藝的兩種差異的TFET開拓中。通過將每種TFET應(yīng)用到一些電路塊中，可實(shí)現(xiàn)大幅低落MCU的功耗。     9月9日和10日，東芝在日本筑波舉行的2014年固態(tài)元件與質(zhì)料（SSDM）國際集會會議上的三場展覽中展示了其TFET。個中的兩次展覽是成立在與日本財富技能綜合研究所（AIST）相助研究團(tuán)隊(duì)綠色納米電子中心（GNC）的連系研究的基本上。     無線設(shè)備和移動設(shè)備

頒發(fā)于 2014-10-17

新型高耐壓功率場效應(yīng)晶體管

layer; On resistance; SCSOA  1   引言     在功率半導(dǎo)體器件中，MOSFET以其高開關(guān)速度，低開關(guān)損耗，低驅(qū)動損耗等特點(diǎn)而在各類功率調(diào)動， 680uf 35v，出格是在高頻功率調(diào)動中飾演著主要腳色。但跟著MOS耐壓的提高，其導(dǎo)通電阻也隨之以2.4～2.6次冪增長，其增長速度使MOSFET制造者和應(yīng)用者不得不以數(shù)十倍的幅度低落額定電流， 47UF 35V，以折中額定電流、導(dǎo)通電阻和本錢之間的抵牾。即便如此，高壓MOSFET在額定結(jié)溫下的導(dǎo)通電阻發(fā)生的導(dǎo)通壓降仍居高不下，如表1所示。 表1管芯面積臨近，耐壓差異的MOSFET的導(dǎo)通壓降和新型布局MOSFET的導(dǎo)通壓降

頒發(fā)于 2011-05-20

功率場效應(yīng)晶體管MOSFET

1.概述　　　　MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）操作電場的效應(yīng)來節(jié)制半導(dǎo)體（S）的場效應(yīng)晶體管。 　　功率場效應(yīng)晶體管也分為結(jié)型和絕緣柵型,但凡是主要指絕緣柵型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,簡稱功率MOSFET（Power MOSFET）。結(jié)型功率場效應(yīng)晶體管一般稱作靜電感到晶體管（Static Induction Transistor——SIT）。其特點(diǎn)是用柵極電壓來節(jié)制漏極電流，驅(qū)動電路簡樸，需要的驅(qū)動功率

頒發(fā)于 2007-05-28