MOS管一個(gè)ESD敏感器件，它自己的輸入電阻很高，而柵源極間電容又很是小，所以極易受外界電磁場或靜電的感到而帶電(少量電荷就大概在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓(想想U(xiǎn)=Q/C)將管子損壞，又因在靜電較強(qiáng)的場所難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。靜電擊穿有兩種方法：一是電壓型，即柵極的薄氧化層產(chǎn)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，可能使柵極和漏極間短路;二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開路可能是源極開路。JFET管和MOS管一樣，有很高的輸入電阻，只是MOS管的輸入電阻更高。

　　靜電放電形成的是短時(shí)大電流，放電脈沖的時(shí)間常數(shù)遠(yuǎn)小于器件散熱的時(shí)間常數(shù)。因此，當(dāng)靜電放電電暢通過面積很小的pn結(jié)或肖特基結(jié)時(shí)，將發(fā)生很大的瞬間功率密度，形成局部過熱，有大概使局部結(jié)溫到達(dá)甚至高出質(zhì)料的本征溫度(如硅的熔點(diǎn)1415℃)，使結(jié)區(qū)局部或多處熔化導(dǎo)致pn結(jié)短路，器件徹底失效。這種失效的產(chǎn)生與否，主要取決于器件內(nèi)部區(qū)域的功率密度，功率密度越小，說明器件越不易受到損傷。

　　反偏pn結(jié)比正偏pn結(jié)更容易產(chǎn)生熱致失效，在反偏條件下使結(jié)損壞所需要的能量只有正偏條件下的十分之一閣下。這是因?yàn)榉雌珪r(shí)，大部門功率耗損在結(jié)區(qū)中心，而正偏時(shí)，則多耗損在結(jié)區(qū)外的體電阻上。對付雙極器件，凡是發(fā)射結(jié)的面積比其它結(jié)的面積都小，并且結(jié)面也比其它結(jié)更接近外貌，所以經(jīng)常調(diào)查到的是發(fā)射結(jié)的退化。另外，擊穿電壓高于100V或泄電流小于1nA的pn結(jié)(如JFET的柵結(jié))，比雷同尺寸的通例pn結(jié)對靜電放電越發(fā)敏感。

　　所有的對象是相對的，不是絕對的，MOS管只是相對其它的器件要敏感些，ESD有一個(gè)很大的特點(diǎn)就是隨機(jī)性，并不是沒有遇到MOS管都可以或許把它擊穿。別的，就算是發(fā)生ESD，也不必然會把管子擊穿。靜電的根基物理特征為：(1)有吸引或排出的氣力;(2)有電場存在，與大地有電位差;(3)會發(fā)生放電電流。這三種景象即ESD一般會對電子元件造成以下三種景象的影響：(1)元件吸附塵埃，改變線路間的阻抗，影響元件的成果和壽命;(2)因電場或電流粉碎元件絕緣層和導(dǎo)體，使元件不能事情(完全粉碎);(3)因瞬間的電場軟擊穿或電流發(fā)生過熱，使元件受傷，固然仍能事情，可是壽命受損。所以ESD對MOS管的損壞大概是一，三兩種環(huán)境，并不必然每次都是第二種環(huán)境。上述這三種環(huán)境中， 東莞電容廠家，假如元件完全粉碎，必能在出產(chǎn)及品質(zhì)測試中被察覺而解除，影響較少。假如元件輕微受損，在正常測試中不易被發(fā)明，在這種景象下，常會因顛末多次加工，甚至已在利用時(shí)，才被發(fā)明粉碎，不單查抄不易，并且損失亦難以預(yù)測。靜電對電子元件發(fā)生的危害不亞于嚴(yán)重火警和爆炸變亂的損失。

　　電子元件及產(chǎn)物在什么環(huán)境下會蒙受靜電粉碎?可以這么說：電子產(chǎn)物從出產(chǎn)到利用的全進(jìn)程都蒙受靜電粉碎的威脅。從器件制造到插件裝焊、整機(jī)裝聯(lián)、包裝運(yùn)輸直至產(chǎn)物應(yīng)用，都在靜電的威脅之下。在整個(gè)電子產(chǎn)物出產(chǎn)進(jìn)程中，每一個(gè)階段中的每一個(gè)小步調(diào)，靜電敏感元件都大概蒙受靜電的影響或受到粉碎，而實(shí)際上最主要而又容易疏忽的一點(diǎn)卻是在元件的傳送與運(yùn)輸?shù)倪M(jìn)程。在這個(gè)進(jìn)程中，運(yùn)輸因移動容易袒露在外界電場(如顛末高壓設(shè)備四周、工人移動頻繁、車輛迅速移動等)發(fā)生靜電而受到粉碎，所以傳送與運(yùn)輸進(jìn)程需要出格留意，以淘汰損失，制止無所謂的糾紛。防護(hù)的話加齊納穩(wěn)壓管掩護(hù)。

　　此刻的mos管沒有那么容易被擊穿，尤其是是大功率的vmos,主要是不少都有二極管掩護(hù)。vmos柵極電容大，感到不出高壓。與干燥的北方差異，南邊濕潤不易發(fā)生靜電。尚有就是此刻大大都CMOS器件內(nèi)部已經(jīng)增加了IO口掩護(hù)。但用手直接打仗CMOS器件管腳不是好習(xí)慣。至少使管腳可焊性變差。

　　MOS

　　管被擊穿的原因及辦理方案

　　第一、MOS管自己的輸入電阻很高，而柵源極間電容又很是小，所以極易受外界電磁場或靜電的感到而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓 (U=Q/C)，將管子損壞。固然MOS輸入端有抗靜電的掩護(hù)法子，但仍需小心看待，在存儲和運(yùn)輸中最好用金屬容器可能導(dǎo)電質(zhì)料包裝，不要放在易發(fā)生靜電高壓的化工質(zhì)料或化纖織物中。組裝、調(diào)試時(shí)， ST電容，東西、儀表、事情臺等均應(yīng)精采接地。要防備操縱人員的靜電滋擾造成的損壞，如不宜穿尼龍、化纖衣服，手或東西在打仗集成塊前最好先接一下地。對器件引線矯直彎曲某人工焊接時(shí)，利用的設(shè)備必需精采接地。