電源的靠得住性設(shè)計
合昌檢測網(wǎng) 昨天
衡宇修建工程質(zhì)量是寬大市民普遍體貼的大問題,在衡宇修建工程建樹和利用進程中顯現(xiàn)出來或大或小的質(zhì)量問題毫不容忽視,要當(dāng)真探究原因,舉辦衡宇檢測,采納相應(yīng)的對策和法子舉辦行之有效地管理,從基礎(chǔ)上消除質(zhì)量問題。跟著我國修建行業(yè)的不絕成長,都市的投資情況慢慢得以優(yōu)化,都市人口的居住程度不絕提高,我國修建工程質(zhì)量呈穩(wěn)步上升趨勢,但不行否定,一些在建工程和已投入利用的工程尚存在不少的質(zhì)量問題,有些甚至嚴重危害到修建布局和利用安詳成果,如:水泥地面空鼓、開裂、起皮、起砂,廚衛(wèi)、屋面、外墻滲漏嚴重,門窗偏差大,下水道堵塞,廁浴間地面倒坡、積水,滴水線向內(nèi)斜導(dǎo)等等現(xiàn)象,有的修建呈現(xiàn)嚴重的不勻稱沉降,個體修建甚至產(chǎn)生整體。
來歷:硬件十萬個為什么
1 引言
開關(guān)電源是各類系統(tǒng)的焦點部門。開關(guān)電源的需求越來越大,同時對靠得住性提出了越來越高的要求。涉及系統(tǒng)靠得住性的因素許多。今朝,人們認識上的主要誤區(qū)是把靠得住性完全(或根基上)歸結(jié)于元器件的靠得住性和制造裝配的工藝,忽略了系統(tǒng)設(shè)計和情況溫度對靠得住性的抉擇性的浸染。據(jù)美國電子嘗試室的統(tǒng)計,整機呈現(xiàn)妨礙的原因和各自所占的百分好比表1所示。
圖片
在民用電子產(chǎn)物規(guī)模,日本的統(tǒng)計資料表白,靠得住性問題80%源于設(shè)計方面(日本把元器件的選型、質(zhì)量級此外確定、元器件的負荷率等部門也歸入設(shè)計上的原因)。以上兩方面的數(shù)據(jù)表白,設(shè)計及元器件(元器件的選型,質(zhì)量級此外確定,元器件的負荷率)的原因造成的妨礙,在開關(guān)電源妨礙原因中占80%閣下。淘汰這兩方面造成的開關(guān)電源妨礙,具有重要的意義??傊?,對系統(tǒng)的設(shè)計者而言,需要明晰成立“靠得住性”這個重要觀念,把系統(tǒng)的靠得住性作為重要的技能指標,當(dāng)真看待開關(guān)電源靠得住性的設(shè)計事情,并采納足夠的法子提高開關(guān)電源的靠得住性,才氣使系統(tǒng)和產(chǎn)物到達不變、靠得住的方針。本文就從這兩個方面來研究與敘述。
2 系統(tǒng)靠得住性的界說及指標
國際上,通用的靠得住性界說為:在劃定條件下和劃定的時間內(nèi),完陳劃定成果的本領(lǐng)。此界說合用于一個系統(tǒng),也合用于一臺設(shè)備或一個單位。描寫這種隨機的概率可用來作為表征開關(guān)電源靠得住性的特征量和特征函數(shù)。從而,引出靠得住度[R(t)]的界說:系統(tǒng)在劃定條件下和規(guī)按時間內(nèi),完陳劃定成果的概率。
如系統(tǒng)在開始 (t=0)時有n0個元件在事情,而在時間為t時仍有n個元件在正常事情,
則
靠得住性 R(t)=n/n0 0≤R(t) ≤1
失效率 λ(t)= - dinR(t)/dt
λ界說為該種產(chǎn)物在單元時間內(nèi)的妨礙數(shù),即λ=dn/dt。
如失效率λ為常數(shù),則
dn/dt=-λt
n=n0e-λt
R(t)=e-λt0
MTBF(平均無妨礙時間)=1/λ
平均無妨礙時間(MTBF)是開關(guān)電源的一個重要指標,用來權(quán)衡開關(guān)電源的靠得住性。
住宅樓是住民糊口休息的重要場合,思量到其非凡性,衡宇完損檢測在注重布局損壞的前提下,還應(yīng)對修建裝飾完損、設(shè)備完損舉辦全面檢測。在判斷陳訴撰寫進程中需綜合思量衡宇正常利用性和適修性,從而給出一個科學(xué)、公道的判斷功效。對付現(xiàn)代衡宇的檢測,若衡宇整體性較好,縱然上部布局傾斜較量明明,衡宇布局損壞仍大概較少,上部布局危險點很少甚至沒有危險點,按照《危險衡宇判斷尺度》(JGJ年版)對衡宇危險性判斷功效為A級或B級。但對付衡宇整體傾斜較大,導(dǎo)致樓面嚴重傾斜、下水管道堵塞等損壞現(xiàn)象,影響住民正常利用的衡宇,若僅按照衡宇危險性判斷功效鑒定不需要對衡宇舉辦處理懲罰,則判斷功效有失全面性,從而激化住民與部分或檢測單元間的抵牾。
3 影響開關(guān)電源靠得住性的因素
從各研究機構(gòu)研究成就可以看出,情況溫度和負荷率對靠得住性影響很大, HU系列,這兩個方面臨開關(guān)電源的影響很大,下面將從這兩方面闡明,如何設(shè)計出高靠得住的開關(guān)電源。個中:PD為利用功率;PR為額定功率。UD為利用電壓;UR為額定電壓。
3.1 情況溫度對元器件的影響
3.1.1 情況溫度對半導(dǎo)體IC的影響
硅三極管以PD/PR=0.5利用負荷設(shè)計,則環(huán)溫度對靠得住性的影響,如表2所示。
圖片
由表2可知,當(dāng)情況溫度Ta從20℃增加到80℃時,失效率增加了30倍。
3.1.2 情況溫度對電容器的影響
以UD/UR=0.65利用負荷設(shè)計 則情況溫度對靠得住性的影響如表3所示。
圖片
從表3可知,當(dāng)情況溫度Ta從20℃增加到80℃時,失效率增加了14倍。
3.1.3 情況溫度對電阻器的影響
以PD/PR=0.5利用負荷設(shè)計,則情況溫度對靠得住性的影響如表4所示。
圖片
從表4可知,當(dāng)情況溫度Ta從20℃增加到80℃時,失效率增加了4倍。
3.2 負荷率對元器件的影響
3.2.1 負荷率對半導(dǎo)體IC的影響
當(dāng)情況溫度為50℃時,PD/PR對失效率的影響如表5所示。
圖片
由表5可知,當(dāng)PD/PR=0.8時,失效率比0.2時增加了1000倍。
3.2.2 負荷率對電阻的影響
負荷率對電阻的影響如表6所示。
圖片
從表6可以看出,當(dāng)PD/PR=0.8時,失效率比PD/PR=0.2時增加了8倍。
Copyright 2020© 東莞市立邁電子有限公司 版權(quán)所有 粵ICP備2020136922號-1
24小時服務(wù)電話:13336555866 郵箱:jimmy@limak.cn
公司地址:廣東省東莞市塘廈鎮(zhèn)東興路162號振興大廈 網(wǎng)站地圖