【媒介】在高端MOS的柵極驅(qū)動(dòng)電路中，自舉電路因技能簡樸、本錢低廉獲得了遍及的應(yīng)用。然而在實(shí)際應(yīng)用中，MOS常莫名其妙的失效，有時(shí)還陪伴著驅(qū)動(dòng)IC的損壞。如何破?一個(gè)符合的電阻就可搞定問題。

　　【問題闡明】

　　上圖為典范的半橋自舉驅(qū)動(dòng)電路，由于寄生電感的存在，在高端MOS封鎖后，低端MOS的體二極管鉗位之前，寄生電感通過低端二極管舉辦續(xù)流，導(dǎo)致VS端發(fā)生負(fù)壓，且負(fù)壓的巨細(xì)與寄生電感與成正比干系。該負(fù)壓會把驅(qū)動(dòng)的電位拉到負(fù)電位，導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電路異常，還大概讓自舉電容過充電導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電路可能柵極損壞。由于IC的驅(qū)動(dòng)端凡是都有寄生二極管，當(dāng)瞬間的大電流流過驅(qū)動(dòng)口的二極管時(shí)， VT貼片鋁電解電容，很大概激發(fā)寄生SCR閉鎖效應(yīng)，導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電路徹底損壞。

　　【辦理要領(lǐng)】

　　如上圖所示，在自舉驅(qū)動(dòng)芯片VS端與Q1的源極之間增加一個(gè)電阻Rvs，該電阻不只是自舉限流電阻，同時(shí)照舊導(dǎo)通電阻和關(guān)斷電阻。由于占空比受自舉電容影響，該電阻值一般不能取得較大，推薦值為3~10Ω較為適宜。電阻和自舉電容的容值與其充電時(shí)間可以由以下公式得出：

　　個(gè)中C是自舉電容容值，D為最大占空比。

　　致遠(yuǎn)電子的PV系列光伏電源，內(nèi)部的MOS驅(qū)動(dòng)技能就輔佐此款產(chǎn)物辦理了許多高端MOS的疑難怪癥，最終成績了產(chǎn)物的高靠得住性。200~1200VDC超寬輸入電壓范疇，長命命、高效率、低紋波噪聲、高靠得住性等特點(diǎn)。

　　【其它留意事項(xiàng)】

　　對付減小高端MOS驅(qū)動(dòng)的寄生振蕩，除通過增加驅(qū)動(dòng)端的電阻發(fā)揮浸染外，在印制電路板的設(shè)計(jì)中，還可留意以下一些細(xì)節(jié)，將寄生振蕩降到最低。如：自舉二極管應(yīng)緊靠自舉電容，功率布線只管短且走線圓滑，直插器件應(yīng)緊貼PCB以減小寄生電感等。怎么樣?趕緊試試吧!