說(shuō)到電子產(chǎn)物，電容算是一種常用的器件了，無(wú)論電源電路、音頻電路、射頻電路都統(tǒng)統(tǒng)離不開它，本日就來(lái)一起分享下電容的基本常識(shí)。

　　一、電容的寄義

　　電容(Capacitance)亦稱作“電容量”，是指在給定電位差下的電荷的蘊(yùn)藏量，記為C，國(guó)際單元是法拉(F)。一般來(lái)說(shuō)，電荷在電場(chǎng)中會(huì)受力而移動(dòng)，當(dāng)導(dǎo)體之間有了介質(zhì)，則阻礙了電荷移動(dòng)而使得電荷累積在導(dǎo)體上，造成電荷的累積壓存，儲(chǔ)存的電荷量則稱為電容。

　　電容的公式為：C=εS/4πkd 。個(gè)中，ε是一個(gè)常數(shù)，S為電容極板的正劈面積，d為電容極板的間隔，k則是靜電力常量。常見的平行板電容器，電容為C=εS/d(ε為極板間介質(zhì)的介電常數(shù)，S為極板面積，d為極板間的間隔)。

　　在電容元件兩頭電壓u的參考偏向給按時(shí)，若以q暗示參考正電位極板上的電荷量，則電容元件的電荷量與電壓之間滿意 q=Cu。電流便是單元時(shí)間內(nèi)通過(guò)某一橫截面的電荷量，所以獲得I=dq/dt，因此電流與電容的干系是 I=dq/dt =C(du/dt) 。該式表白，電流的巨細(xì)與偏向取決于電壓對(duì)時(shí)間的變革率，電壓增高時(shí)，du/dt》0，則dq/dt》0，i》0，極板上電荷增加，電容器充電;電壓低落時(shí)，du/dt《0，則dq/dt《0，i《0，極板上電荷淘汰，電容器反向放電。當(dāng)電壓不隨時(shí)間變革時(shí)，du/dt=0，則電流I=0，這時(shí)電容元件的電流便是零，相當(dāng)于開路。故電容元件有阻遏直流的浸染。

　　二、電容的容值

　　電容的標(biāo)記是C，在國(guó)際單元制里，電容的單元是法拉，簡(jiǎn)稱法，標(biāo)記是F，由于法拉這個(gè)單元太大，所以常用的電容單元有毫法(mF)、微法(μF)、納法(nF)和皮法(pF)等，換算干系如下

　　1法拉(F) = 1000毫法(mF) = 1000000微法(μF);

　　1微法(μF) = 1000納法(nF) = 1000000皮法(pF)。

　　三、電容的參數(shù)

　　1.標(biāo)稱容值與誤差

　　電容量即電容加上電荷后儲(chǔ)存電荷的本領(lǐng)巨細(xì)。電容量誤差是指其實(shí)際容量與標(biāo)稱容量間的毛病，凡是有±10%、±20%，用在射頻電路中PI匹配中的電容±0.5%、±0.75%的小誤差電容。

　　2.額定電壓

　　額定事情電壓是該電容器在電路中可以或許恒久靠得住地事情而不被擊穿所能遭受的最大直流電壓(又稱耐壓)。它與電容器的布局、介質(zhì)質(zhì)料和介質(zhì)的厚度有關(guān)，一般來(lái)說(shuō)，對(duì)付布局、介質(zhì)溝通，容量相等的電容器，其耐壓值越高，體積也越大。

　　當(dāng)在電容器的南北極板間施加電壓之后，極板間的電解質(zhì)便處于電場(chǎng)中，原來(lái)是中性的電介質(zhì)，由于外電場(chǎng)力的浸染，介質(zhì)分子內(nèi)的正負(fù)電荷將在空間位置上產(chǎn)生少許偏移(如負(fù)電荷逆電場(chǎng)偏向移動(dòng))，形成所謂的電偶極子，也就是介質(zhì)內(nèi)部呈現(xiàn)了電場(chǎng)，粉碎了本來(lái)的電中性狀態(tài)。這種現(xiàn)象叫做電解質(zhì)的極化?？梢?，極化狀態(tài)下的介質(zhì)是帶負(fù)電荷的，但這些電荷依然受介質(zhì)自己的束縛而不能自由移動(dòng)，介質(zhì)的絕緣機(jī)能尚未遭到粉碎，只有少數(shù)電荷離開束縛而形成很小的泄電流。假如外加電壓不絕增強(qiáng)，最后將使極化電荷大量離開束縛，引起泄電流大大增加，于是介質(zhì)的絕緣機(jī)能遭到粉碎，使兩個(gè)極板短接，完全喪失電容的浸染。這種現(xiàn)象稱為介質(zhì)擊穿。介質(zhì)擊穿之后，電容器被破壞。因此電容器的事情電壓要有必然限制，不能隨意增加。

　　3.溫度系數(shù)

　　電容器電容量隨溫度變革的巨細(xì)用溫度系數(shù)(在必然溫度范疇內(nèi)，溫度每變革1℃，電容量的相對(duì)變革值)來(lái)暗示，這一點(diǎn)和電阻是一樣一樣的。

　　4.絕緣電阻

　　電容器泄電的巨細(xì)用絕緣電阻來(lái)權(quán)衡。電容器泄電越小越好，也就是絕緣電阻越大越好。一般小電容器的絕緣電阻很大，可達(dá)幾百兆歐或幾千兆歐。電解電容器的絕緣電阻一般較小。

　　5.損耗

　　在電場(chǎng)浸染下，電容器單元時(shí)間內(nèi)發(fā)燒而耗損的能量叫電容器的損耗。 抱負(fù)電容器在電路中不該耗損能量，但在實(shí)際上，電容器或多或少都要耗損能量，其能量耗損主要由介質(zhì)損耗和金屬部門的損耗構(gòu)成， 22UF 50V，凡是用損耗角正切值來(lái)暗示。

　　6.頻率特性

　　電容器的頻率特性凡是是指電容器的電參數(shù)(如電容量、損耗角正切值等)隨電場(chǎng)頻率而變革的性質(zhì)。在高頻下事情的電容器，由于介電常數(shù)在高頻時(shí)比低頻時(shí)小，因此電容量將相應(yīng)地減小。與此同時(shí)，它的損耗將隨頻率的升高而增加。另外在高頻事情時(shí)，電容器的漫衍參數(shù)，如極片電阻、引線和極片打仗電阻，極片的自身電感，引線電感等，都將影響電容器的機(jī)能，由于這些因素的影響，使得電容器的利用頻率受到限制。

　　7.介質(zhì)

　　參數(shù)描寫了電容回收的電介質(zhì)質(zhì)料種別，溫度特性以及誤差等參數(shù)，差異的值也對(duì)應(yīng)著必然的電容容量的范疇。好比

　　X7R常用于容量為3300pF~0.33uF的電容，這類電容合用于濾波，耦合等場(chǎng)所，電介質(zhì)常數(shù)較量大，當(dāng)溫度從0°C變革為70°C時(shí)，電容容量的變革為±15%;

　　Y5P與Y5V常用于容量為150pF~2nF的電容， 1000UF 35V，溫度范疇較量寬，跟著溫度變革，電容容量變革范疇為±10%可能+22%/-82%。