TDK一直十分存眷中國的新基建，尤其是5G規(guī)模 的電源成長。 5G電源一個很是重要的特點是能源效 益及能量密度明明要求加 大許多， 470uf 50v，為的是淘汰5G產(chǎn) 品的占地面積以到達(dá)小型 化的目標(biāo)。另外，新的5G 有源天線模塊普遍回收的 是自然冷卻散熱的設(shè)計， 所有這些對絕大大都被動 器件都提出新的挑戰(zhàn)－更 高的溫度耐受性。出格是 在薄膜電容方面，傳統(tǒng)的MKP薄膜電容因為受到固有 原質(zhì)料及出產(chǎn)工藝的限制，凡是最高事情溫度只能到達(dá) 110 ℃。可是TDK的愛普科斯(EPCOS)薄膜電容器沖破了此枷鎖并完善性的開拓了合用于開關(guān)電源行業(yè)的全套 125 ℃薄膜電容。

TDK一直致力研究機能更強的薄膜電容器。已推出 很多125 ℃愛普科斯(EPCOS)薄膜電容系列，包羅安規(guī)電 容X2 B3292 P/Q系列、功率改正電容 B3267 P系列、直流 支撐電容 B3277 P系列以及諧振電容B3264系列。這些系 列產(chǎn)物和5G有源天線模塊都能完美匹配。以X2 B3293 P/ Q為例， 330UF 6.3V，它不只樂成地得到了125 ℃安規(guī)證書（CQC/UL/ VDE), 并且在滿意溫濕測試85 ℃/85% 240 Vac 500 h的 同時保持了較小尺寸，甚至可以在客戶的要求下進(jìn)一步 的拓展為耐更高測試85 ℃/85% 240 Vac 1 000 h的產(chǎn)物。 此款在產(chǎn)物在剛投入市場之際便迅速受到青睞。同時， TDK的市場和研發(fā)團(tuán)隊也一直在存眷來自于市場的新需 求，以期能實時地支持和處事方針客戶。

TDK電子大中華區(qū) 薄膜電容器產(chǎn)物市場部 司理 徐翔

2   處事SiC、GaN市場的電容器

在電力電子規(guī)模，基于GaN和SiC的寬帶隙 (WBG) 技能正逐漸替代傳統(tǒng)的 IGBT技能，日益遍及地 應(yīng)用于鐵路牽引、家產(chǎn)驅(qū) 動、新能源汽車驅(qū)動及充 電等新基建直接相關(guān)的應(yīng) 用規(guī)模。這類新的驅(qū)動器 件自己具有以下特點：更 低的開關(guān)損失、更高的開 關(guān)頻率、更高的事情溫度和傳導(dǎo)溫度、更低的熱阻。而對付被動元器件，尤其是與之直接相連的DC-LINK電容也提出了更高的 顛覆性的要求：更高的事情溫度，更大的電流密度，更低的等效電阻和熱阻，更小的等效電感出格是在GaN和 SiC這樣極高的事情頻率下。

TDK電子大中華區(qū) 電力電容器產(chǎn)物市場部 資深司理 徐敏

面臨這樣的技能趨勢和挑戰(zhàn)，TDK的薄膜電力電子電容部分多年前就未雨綢繆，著手新一代的產(chǎn)物開拓， 并同世界先進(jìn)的應(yīng)用客戶保持密切的相同和相助，今朝已經(jīng)推出了各個系列，滿意WBG半導(dǎo)體技能的電力電子電容。個中包羅：

2）愛普科斯(EPCOS)B25645普通高頻電力電子電 容器，利用領(lǐng)先的內(nèi)部均流技能，擔(dān)保在SiC及高速 IGBT的高頻下仍保持靠得住的事情狀態(tài)。額定電壓范疇 為700~2 300 V DC，電容值范疇為(370~3 900) μF，使 用高溫PP膜，最高事情溫度可達(dá)90 ℃?；厥漳K化設(shè) 計，B25645適合多電容并聯(lián)。合用于當(dāng)前由IGBT向高 速IGBT或SiC技能過渡的牽引、驅(qū)動等需要較大DC-Link容值的變流應(yīng)用。

3）愛普科斯(EPCOS)B25620系列新的高頻電力電 子電容系列。原B25620系列是在新能源風(fēng)電和光伏遍及 被利用的鋁殼圓形電容。在此基本上，回收內(nèi)部均流技 術(shù)，使得電容的高頻ESL獲得極大提高，在100 kHz以上的開關(guān)頻率下具有精采的均流特性。又因其具有尺度的尺寸，適合多顆并聯(lián)，今朝已開始在城軌牽引、新能 源等規(guī)模的前沿平臺開展應(yīng)用。