我們?nèi)粘Ｋ玫臄?shù)碼設備，大大都都是利用通過AC適配器生成的直流電壓作為輸入電壓，然后通過電源IC來升降電壓。在利用耗電量較高的半導體時，會出格用到100μF以上的滑膩用電容器。另外，跟著半導體的低電壓化和高速化，為了保持其事情不變性，就需要用到低阻抗型的滑膩電容器。因此，村田建造所(以下簡稱“村田”)又進一步擴充了100μF以上的大容量多層陶瓷電容器產(chǎn)物陣容。

　　圖1.100μF多層陶瓷電容器(例：3.2x2.5mm尺寸:330μF)

　　電容器按照其根基布局、質(zhì)料的差異，大抵分為圖2中的幾種。從圖中我們可以看到多層陶瓷電容器固然在靜電容量的溫度依賴性，施加電壓導致有效容量下降(DC偏壓特性)方面略有不敷，但其小型化、高靠得住性、高價值競爭力、低阻抗/低ESR*1/低ESL*2等優(yōu)勢十分顯著。因此在如今小型、大容量的電容器規(guī)模，多層陶瓷電容器已經(jīng)成為主流。但高出100μF的大容量滑膩用電容器，必需具備低阻抗，這些產(chǎn)物今朝的主流卻是導電性聚合物電解電容器。

　　*1.ESR(Equivalent Series Resistance 等效串聯(lián)電阻)：電容器阻抗的實際身分。

　　*2.ESL(Equivalent Series Inductor 等效串聯(lián)電感)：電容器帶有的微小電感身分，諧振頻率以上的頻率規(guī)模的阻抗由ESL支配。

　　圖2.多層陶瓷電容器的優(yōu)勢/劣勢(出處:村田建造所)

　　如今， 電解電容廠家，支持多層陶瓷電容器大容量化的技能正在不絕革新，村田電子已經(jīng)能擔保1μm以下介質(zhì)層的高精度疊加1000層以上的不變量產(chǎn)出產(chǎn)技能及薄層化技能，另外，100μF以上的多層陶瓷電容器也正在量產(chǎn)中。

　　圖3.100μF以上陶瓷電容器(3.2x2.5mm尺寸/330μF)的內(nèi)部布局圖

　　由于近幾年紀碼設備利用的半導體不絕低電壓化，由DC偏壓特性引起的容量下降的環(huán)境也在不絕淘汰，因此數(shù)碼設備也開始利用100μF以上的多層陶瓷電容器作為滑膩用電容器。

　　今朝，2.0x1.25mm/X5R/4V/100μF、3.2x1.6mm/X5R/6.3V/100μF、3.2x1.6mm/X5R/4V/220μF這三種規(guī)格的產(chǎn)物已做生意品化。另外，多個項目標100μF以上的多層陶瓷電容器(最大容量：300μF)也已實現(xiàn)商品化。

　　圖4.100μF以上多層陶瓷電容器的產(chǎn)物陣容(2015年8月)

　　在村田最新的產(chǎn)物陣容中，既有用于一般消費類市場的X5R型(事情溫度范疇：-55～85℃)產(chǎn)物，又有面向耗電量大、設備內(nèi)部溫度高的應用的X6*型(事情溫度范疇：-55～105℃)，另外更大容量產(chǎn)物的開拓也在打算中。

　　今朝，為了確保數(shù)碼設備利用的低電壓及高速運轉(zhuǎn)的半導體電源線的不變性，需要節(jié)制由紋波電壓及負載變換引起的電壓變換。作為滑膩用電容器，必需要到達100μF以上容量及低阻抗，此前市場的辦理方案主要是利用導電性聚合物電解電容器。村田這次擴充了100μF以上的多層陶瓷電容器產(chǎn)物陣容，可以代替導電性聚合物電解電容器。

　　固然多層陶瓷電容器的容量比導電性聚合物電解電容器要低，但仍然具有很強的可替代性。這是因為多層陶瓷電容器的阻抗及ESR很低，應對電壓變革回響精采。圖5是代表性的導電性聚合物鉭電解電容器和多層陶瓷電容器的阻抗，ESR-頻率特性。數(shù)碼設備利用的電源IC開關(guān)頻率在100kHz以上，從圖中可以看出，相對付導電性聚合物鉭電解電容器，多層陶瓷點容易不只和它具有溝通容量，并且容量比它低的產(chǎn)物，阻抗和ESR也很低。

　　另外，在諧振頻率為高頻時，與導電性聚合物鉭電解電容器對比，多層陶瓷電容器的阻抗很是低， 470uf 63v，對高頻靜噪很是有用。

　　圖5.阻抗/ESR-頻率特性較量

　　村田利用PC上DDR用電源IC的評估基板舉辦了替換評估，評估電路及評估功效如圖6所示。評估基板利用1.4V直流電壓，初始狀態(tài)下在2處使導電性聚合物鉭電解電容器(7.3x4.3mm尺寸/2.0V/330μF/M毛病)作為滑膩用電容器。然后，利用150μF及200μF(3.2x1.6mm尺寸/6.3V/M毛病)的多層陶瓷電容器替換導電性聚合物鉭電解電容器，對紋波電壓/尖峰電壓、負載變革時的電壓變革舉辦評估。本次評估已事先調(diào)解相位，確保了評估基板的不變性。

　　圖6.導電性聚合物鉭電解電容器替換評估功效